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产品详情 / Product Details位置: 首页 > 晶泰产品 > YTC300-MCZ电子级单晶炉

主要性能指标


炉室资料Puller Data
单晶直径Crystal diameter:12〞- 18〞
装料量Charge size:450kg
喉管直径Throat Diameter:28”~36”
主炉膛内径Main furnace Diameter:Φ1300mm
主炉膛高度Main furnace Height:1938mm

炉门开口尺寸 Pull Chamber Door Opening: 520mm×2800mm

喉管直径(Throat Diameter):Φ500 mm

主真空泵抽速Vacuum Pumps-Main: 221 cfm (6,260 l/min)

辅助真空泵抽速(Recommended) Aux: 60 cfm (1,700 l/min)

副室类型Deputy room type:全开门Full-door 

炉盖类型Lid Type:穹顶 Dome或扁平 Flat
磁场类型Field type:勾型、水平型(可选)hook type, horizontal type (optional)
有导流筒提升、激光测距、CCD控径
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料providing secondary feed


坩埚驱动单位Crucible drive unit
提升速度( Lifting speed):0-4mm/min
最快提升速度(Fast Seed Lift Rate):(≥150mm/min) 

行程 Stroke:800mm
转速 Rotation speed:0-20 rpm


晶驱动单位 Crystal drive unit

籽晶提升慢速(Seed Lift Rate):0-8 mm/mim

籽晶提升快速(Fast Seed Lift Rate):620 mm/min

籽晶行程(Seed Travel):4000 mm

籽晶旋转(Seed Rotation):0-30 rpm


厂务要求Utilities
电源电压(Source Voltage):380V±10%
频率(Frequency):50/60 Hz
主变压器(Main Transformer):320 KVA
副变压器(Subsidiary Transformer):67 KVA
环境温度(Ambient Temperature):5~40
相对湿度(Relative Humidity):<70%
入口端最高水温(Maximum Inlet Temperature) 77°F (25℃)
最小流量(Minimum Flow Rate):≥400 L/min
入口出口压力差(Diff. Supply Pressure):2.0-3.0 bar
主氩气流量(Mass Flow Control Max.):100-200 L/min
压力(Pressure):3.5-5 bar
压缩空气(Air)
极限真空(Ultimate Vacuum):≤30m Torr
泄漏率(Leakage Rate):≤40m Torr/h
可控压力范围(Controllable Pressure Scope):10-50 Torr
推荐压力(Recommended Supply Pressure):4-7 bar
消耗量(Consumption):100 L/炉次


控制系统System Control
自动过程Automatic process
标准PLC/PC控制control by PLC/PC. Equipped as standard


外形尺寸Dimensions(approx.)
总高度 (closed):8,311mm
宽 Width (W):2,500mm
深 Depth (D):3,424mm