浙江晶泰半导体有限公司 致力于半导体设备领域里开创新局面!

加入收藏 | 设为首页 | 站点地图

服务热线:0577-62723111

产品详情 / Product Details位置: 首页 > 晶泰产品 > YTC260-MCZ电子级单晶炉

主要性能指标


炉室资料Puller Data
坩埚直径Crucible  diameter:22〞- 28〞
单晶直径Crystal diameter:8〞- 16〞(200-400mm)
装料量Charge size:120-280kg
喉管直径Throat Diameter:16 ”(410mm)
主炉膛内径Main furnace Diameter:¢1200mm
主炉膛高度Main furnace Height:1500mm
炉门开口尺寸Pull Chamber Door Opening:17〞×93〞(450mm×2373mm)
主真空泵抽速Vacuum Pumps-Main:221 cfm (6,260 l/min)
辅助真空泵抽速(Recommended) Aux:60 cfm (1,700 l/min)
排气方式Exhaust:底排气 Exhaust end
副室类型Deputy room type:全开门 Full-door
炉盖类型Lid Type:斜顶 Inclined top 
磁场类型Field type:勾型、水平型(可选)hook type, horizontal type (optional)
有导流筒提升、激光测距、CCD控径
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料providing secondary feed


坩埚驱动单位Crucible drive unit
提升速度Lifting speed:0-4.7 in/hr (0-120 mm/hr)
最快提升速度Crucible Jog Speed:(>120 mm/min)
行程Stroke:18〞(457 mm)
转速Rotation speed:0-20 rpm(可逆)


晶驱动单位 Crystal drive unit
提升速度Lifting speed:0-20 in/hr (0-508 mm/hr)
快速提升速度Seed Jod Speed:20 in/min (508 mm/min)
转速Rotation speed:0-30 rpm(可逆)


厂务要求Utilities
电源电压(Source Voltage):380V±10%
频率(Frequency):50/60 Hz
加热功率(Heating Power):IGBT 200KW底部加热50KW
环境温度(Ambient Temperature):5~40
相对湿度(Relative Humidity):<70%
入口端最高水温(Maximum Inlet Temperature): 77°F (25℃)      
最小流量(Minimum Flow Rate):95 gpm (360 l/min) total
入口出口压力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1kg/cm²)  
主氩气流量(Mass Flow Control(Max.):200 slpm
吹扫流量(Purge Flow):100 slpm
合计(Facility Total):300 slpm
推荐压力Recommended Supply Pressure:75 psi (5.3 kg/ cm²)
压缩空气(Air)
推荐压力Recommended Supply Pressure:90 psi (6.3 kg/ cm²)


控制系统System Control
自动过程Automatic process
标准PLC/PC控制control by PLC/PC. Equipped as standard


外形尺寸Dimensions(approx.)
总高度 (closed):7022 mm
宽 Width (W):2270 mm
深 Depth (D):3090 mm