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单晶硅长晶炉技术标准

发布者:晶泰电器发布日期:2017-06-28点击量:3256

1、CCD控制,测量方法:测量精度达到0.1mm,单晶头尾直径偏差在1mm以内,完全兼容拉制<100>、<111>、<110>等规格的单晶
2、真空计采用分量程薄膜真空计(0~1Torr、0~100Torr、0~1000Torr),使压力测量精度更高,测量真空值不受气体介质影响。
3、采用质量流量计(MFC)控制氩气流量,在外界压力波动的情况下可恒定输出氩气流量,确保拉晶生长环境的恒定;
4、国内首创三阀真空控制系统,采用滑阀真空泵抽真空、检漏,水环真空泵拉晶,使在拉晶过程中产生的有毒气体、灰尘等经过水过滤、水处理后排放,不直接排放于大气中,大大提高了环保。
5、以太网控制,可经过Internet网远程登录设备修改参数及数据监控和下载储存。
6、高晶转、埚转,可提高单晶体的均匀性,减少氧、碳含量及微缺陷。
7、由于氩气系统中电磁阀若长时间通电易发烫造成阀门关不死、电磁阀烧毁,从而影响拉晶生长,我们采用气动阀替代电磁阀,避免了阀体发烫而导致阀门关不死等现象。
8、我们用单作用、自复位气动高真空抽气球阀代替普通的手动球阀,使在单晶生长过程中若发生停电、停气现场,自动关闭抽气阀,避免由于气体倒吸而造成整炉料报废的风险。
9、采用高精度电子调节阀来控制晶体生长炉的炉压,可以实现高炉压控制,保证了晶体生长环境的恒定及一致性,大大提高了拉晶成晶率。
10、国内首创具有自己知识产权的冷却水水压安全阀,在冷却水管内若压力过高自动泄压,保证了人身与设备的安全。
11、激光+CCD液面与导流筒测距技术,控制精度可达0.1mm,可以根据工艺要求在不同的等径长度液面位置做相应的调整,可自动修改热屏位置来改变液面的位置。
12、可根据石墨、石英的形状及拉制的单晶尺寸自动计算埚跟比,不需要另外设定埚跟比表格
13、直径温度控制系统,拉速优先控制,拉速按工艺设定给定,在等径过程中不随直径的变化而改变,从而满足拉制完美单晶体的要求,特别针对大直径单晶尤为重要
14、自动温度补偿生长控制系统,采用独特的控制算法,对整根单晶棒生长温度分布作出规划,尤其针对拉制重掺单晶,可以保证整根单晶棒的拉制,不容易由于温度而造成的断苞
15、开门式副室:
(1)便于清洗,特别是重掺单晶,在拉制过程中会产生大量的挥发物,若采用炮筒式副室,挥发物在副室里就难以清扫干净;
(2)降低炉子高度,开门式副室可以去掉隔离阀腔,这样炉体整体高度就有所降低,可以缩小共振区,从而可保证高晶转的稳定性;
(3)便于炉内二次加料,只需打开副室门就可以实现炉内的二次加料,而不需要升降副炉室来完成,减少由于操作失误造成的损失。
16、磁场,针对单晶体品质不同的要求,我们设计了勾型磁场和横向磁场:
(1)勾型磁场主要针对降低氧碳含量
(2)横向磁场主要是针对提高电阻率均匀性而开发的,6寸的单晶硅片电阻率不均匀性可在10以下

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