1、CCD控制，测量方法：测量精度达到0.1mm，单晶头尾直径偏差在1mm以内，完全兼容拉制<100>、<111>、<110>等规格的单晶
2、真空计采用分量程薄膜真空计（0~1Torr、0~100Torr、0~1000Torr），使压力测量精度更高，测量真空值不受气体介质影响。
3、采用质量流量计（MFC）控制氩气流量，在外界压力波动的情况下可恒定输出氩气流量，确保拉晶生长环境的恒定；
4、国内首创三阀真空控制系统，采用滑阀真空泵抽真空、检漏，水环真空泵拉晶，使在拉晶过程中产生的有毒气体、灰尘等经过水过滤、水处理后排放，不直接排放于大气中，大大提高了环保。
5、以太网控制，可经过Internet网远程登录设备修改参数及数据监控和下载储存。
6、高晶转、埚转，可提高单晶体的均匀性，减少氧、碳含量及微缺陷。
7、由于氩气系统中电磁阀若长时间通电易发烫造成阀门关不死、电磁阀烧毁，从而影响拉晶生长，我们采用气动阀替代电磁阀，避免了阀体发烫而导致阀门关不死等现象。
8、我们用单作用、自复位气动高真空抽气球阀代替普通的手动球阀，使在单晶生长过程中若发生停电、停气现场，自动关闭抽气阀，避免由于气体倒吸而造成整炉料报废的风险。
9、采用高精度电子调节阀来控制晶体生长炉的炉压，可以实现高炉压控制，保证了晶体生长环境的恒定及一致性，大大提高了拉晶成晶率。
10、国内首创具有自己知识产权的冷却水水压安全阀，在冷却水管内若压力过高自动泄压，保证了人身与设备的安全。
11、激光+CCD液面与导流筒测距技术，控制精度可达0.1mm，可以根据工艺要求在不同的等径长度液面位置做相应的调整，可自动修改热屏位置来改变液面的位置。
12、可根据石墨、石英的形状及拉制的单晶尺寸自动计算埚跟比，不需要另外设定埚跟比表格
13、直径温度控制系统，拉速优先控制，拉速按工艺设定给定，在等径过程中不随直径的变化而改变，从而满足拉制完美单晶体的要求，特别针对大直径单晶尤为重要
14、自动温度补偿生长控制系统，采用独特的控制算法，对整根单晶棒生长温度分布作出规划，尤其针对拉制重掺单晶，可以保证整根单晶棒的拉制，不容易由于温度而造成的断苞
15、开门式副室：
（1）便于清洗，特别是重掺单晶，在拉制过程中会产生大量的挥发物，若采用炮筒式副室，挥发物在副室里就难以清扫干净；
（2）降低炉子高度，开门式副室可以去掉隔离阀腔，这样炉体整体高度就有所降低，可以缩小共振区，从而可保证高晶转的稳定性；
（3）便于炉内二次加料，只需打开副室门就可以实现炉内的二次加料，而不需要升降副炉室来完成，减少由于操作失误造成的损失。
16、磁场，针对单晶体品质不同的要求，我们设计了勾型磁场和横向磁场：
（1）勾型磁场主要针对降低氧碳含量
（2）横向磁场主要是针对提高电阻率均匀性而开发的，6寸的单晶硅片电阻率不均匀性可在10以下